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IC基板は、 PCB製造 における最高レベルの小型化を代表し、半導体製造と多くの類似点を共有しています。フリップチップ技術は、民生用スマートフォン、タブレット、PCから高性能グラフィックスワークステーション、サーバー、ITインフラ機器に至るまでのアプリケーションで使用される高性能集積回路をパッケージングするための基盤です。IC基板は、トレースとホールの導電ネットワークを通じてICチップとPCB間の接続として機能します。

未来を形作る高度な技術。KKPCBは、ワイヤボンディングおよび/またはフリップチップ方式を利用してICチップをIC基板に取り付ける多くの種類のIC基板を製造しています。KKPCBが製造するIC基板には以下が含まれます：

• CSP（チップスケールパッケージ）
• FC-CSP（フリップチップ）CSP
• BOC（ボード・オン・チップ）
• PoP（パッケージ・オン・パッケージ）
• PiP（パッケージ・イン・パッケージ）
• SiP（システム・イン・パッケージ）
• RFモジュール
• LEDパッケージ

• 層数：1L / 2L / 3L / 4L、最大12層。
• 最小線幅と間隔：25/25 µm
• 最小レーザービア/パッド：50/100 µm
• 重要な信号トレースのインピーダンス制御
• RoHS準拠材料
• バンプパッド：最小130 µmバンプピッチ
• 構造：任意層、コアレス、キャビティ、埋め込みパッシブ、埋め込みトレース（20 umピッチまで）
• 幅広い材料と表面処理オプションが利用可能
• 厚さ：100 um（2L）～225 um（4L）
• 最小パッケージサイズ：3 x 3 mm～15 x 15 mm

• ハンドヘルド、モバイル、ネットワーキング
• スマートフォン、民生用電子機器、DTV
• PCアプリケーション用CPU、GPU、チップセット
• ゲームコンソール用CPU、GPU（例：X-Box、PS3、Wii…）
• DTVチップコントローラー、Blu-Rayチップコントローラー
• インフラアプリケーション（例：ネットワーク、基地局…）
• ASIC
• デジタルベースバンド
• 電源管理
• グラフィックプロセッサ
• マルチメディアコントローラー
• アプリケーションプロセッサ
• 3C製品用メモリーカード（例：携帯電話/DSC/PDA/GPS/ポケットPC/ノートブック）
• 高性能CPU
• GPU、ASICデバイス
• デスクトップ/サーバー
• ネットワーキング
• ゲームコンソール

本製品は、パッケージ基板であり、モバイルデバイスやPCのコア半導体に使用されます。半導体とメインボード間の電気信号を伝達し、高価な半導体を外部からのストレスから保護します。一般的な基板と比較して、この基板はより多くの微細回路を含む高密度回路基板であるため、高価な半導体を基板に直接接合する際の組立不良とそれに伴うコストを削減できます。

集積回路（IC）パッケージ基板（IC基板）は、集積回路パッケージングの中核部品です。半導体チップ（DIE）や各種受動素子（パッシブ）の直接のキャリアであり、先進パッケージングの重要な材料でもあります。パッケージ基板は、各種受動素子を備えた半導体チップに、電気的相互接続、性能向上、固定支持、放熱、絶縁保護の機能を提供します。この機能は、集積回路パッケージングの薄型化、小型化、高密度化、高性能化を実現するための基盤です。

• 1.5～12層、奇数または偶数層の基板、超薄型基板スタックアップ
• ビアポストまたは銅ピラーは、任意の層から開始して相互接続できる順次ビルドアップ基板めっきプロセスです
• 大きな銅ブロック構造を基板内にめっきして、IRドロップを低減し、パワーインテグリティを向上させることができます
• 従来のテンティング/MSAP技術と互換性があります
• レーザービアの代わりにビアポストまたは銅ピラーを使用して、任意の層および任意の形状のレーザービアによる高密度相互接続を実現します
• 銅ピラー相互接続の一貫性により、RFパッケージの性能を向上させ、信号整合性を確保できます
• 積層バー形状の銅ピラーまたはメッキされた放熱板は、チップの効率的な放熱のための三次元接続チャネルを形成します

基板内部の金属層間にチップまたは受動部品を埋め込み、チップまたはデバイスのI/Oをマイクロビアと金属層を通じて外部ピンにファンアウトする新しいタイプのパッケージング方法です。このチップ埋め込み基板により、上面の表面積を利用して追加のチップや受動部品を上面に配置し、3Dスタックアップにおいてより高い統合レベルの機能性を実現できます。この革新的でカスタマイズされたプロセスを使用することで、すべてのコンポーネントを1つのパッケージに統合し、新しいシステムレベルパッケージまたはモジュールを形成できます。

• チップ埋め込み基板は1～5つのファンアウト層をサポートし、3D集積構造を実現します
• 薄膜スパッタリングTi/Cu（Sputter Ti/Cu）を用いたウェハライクプロセスによるチップとキャリア基板間のシームレス接続
• 柔軟な先進設計ルールにより、従来の半導体パッケージよりも薄く小型のフォームファクタデバイスを実現できます
• KKPCB独自の知的財産(IP)を使用して製造され、従来のMSAPプロセスと互換性があり、広範なチップおよび受動部品の統合が可能です
• チップと基板間の接続は、ウェハライクプロセスで薄い金属薄膜(Ti/Cu)のシード層をスパッタリングすることにより形成され、電気的性能と放熱が大幅に向上します
• 効果、および長期信頼性
• このプロセスはパネルレベルファンアウトであり、ワイヤボンドまたはフリップチップ技術を使用して処理された現在のパッケージよりも低コストの構造を実現できます

CSP(チップサイズパッケージ)は、パッケージ基板のサイズが半導体チップサイズの120%を超えない製品です。面積サイズを削減するために、一般的なBGAと比較して高密度配線を備えたCSPが形成されます。CSPの最も重要な目標は、実装面積サイズを削減することです。

チップスケールパッケージ(CSP)は、ファインパターン技術、非常に小さなビア、超薄銅箔、およびビルドアップ構造を利用して、高密度設計と柔軟性を実現します。CSP基板は、接続と絶縁の両方において高信頼性を提供します。

• メモリ、アナログ、ASIC、ロジック、RFデバイス、
• ノートブック、サブノートブック、パーソナルコンピュータ、
• GPS、PDA、ワイヤレス通信システム

• 高密度設計のためのファインパターニング技術
• 高い設計柔軟性のためのビルドアップ構造
• 接続と絶縁における高信頼性
• PoPに適した低CTE材料の採用

これは、完成部品のサイズの80%以上のサイズの半導体チップです。金線ワイヤボンディング法が半導体チップとPCBを接続するために適用されるため、WBCSP(ワイヤボンディングCSP)と呼ばれます。金線はチップとPCBを接続するために使用され、マルチパッケージングが可能であり、主にメモリチップに適用されます。特に、UTCSP(超薄型CSP)製品は0.13mm以下の厚さで作られています。チップとPCBの接続における高い自由度により、マルチチップパッケージングが可能になり、同じ厚さの他の製品と比較して優れた性能が実現されます。

ワイヤレス通信を通じた大量のアプリとマルチメディアによって推進される周波数帯域幅への高い需要は、携帯電話においてより多くのバンドを必要とします。高度な通信プロトコルとキャリアアグリゲーションへの移行は、バンド数の需要を促進し、またパワーアンプとフロントエンドモジュールの需要も促進します。RFモジュールは、デジタルとは異なるアナログ回路です。回路/パターン設計と部品製造において、はるかに多くのスキルを必要とします。

• ストリップフォーム
• 厚銅
• インピーダンス制御
• 厳格な均一性管理

PBGA(プラスチックボールグリッドアレイ)は、パッケージ基板の構造的特性を表しています。言い換えれば、PCBの裏面に、リードの代わりにはんだボールが並べられ、基板をメインボードに接続します。PBGAという用語は、パッケージ基板として一般的に使用されています。

ワイヤボンディングICパッケージングアプリケーション用の典型的なBGA基板は、ガラス繊維含浸樹脂銅張積層板に基づいています。PBGAパッケージングは、広範囲のチップI/O数に対してコスト効率の良いソリューションです。IC機能がアップグレードされると、常にリードフレームパッケージングからBGAパッケージングに移行します。

• ストリップフォーム
• 多様な表面処理
• 幅広い材料選択
• 熱および電気的性能を考慮した基板設計の最適化
• より細かいボールピッチとより薄いパッケージ厚
• 短い配線長による高い電気的性能
• エッチバックプロセス
• フリップチップとワイヤボンディングの両方に対応
• セミアディティブプロセスによる高密度配線
• トレース上にボンディングするためのファインパターン形成技術
• パッケージオンパッケージへの基板寸法安定性
• 相互接続用のリードレスプレート設計

• ASIC、DSPおよびメモリ、ゲートアレイ、
• マイクロプロセッサ / コントローラ / グラフィックス
• PCチップセットと周辺機器
• グラフィックスプロセッサ
• セットトップボックス
• ゲームコンソール
• ギガビットイーサネット

CSP（チップサイズパッケージ）は、パッケージ基板のサイズが半導体チップサイズの120%を超えない製品です。面積を削減するために、一般的なBGAと比較して高密度配線を備えたCSPが形成されます。CSPの最も重要な目標は、実装面積を削減することです。

これはフリップチップチップスケールパッケージ（FCCSP）と呼ばれ、半導体チップが裏返され、ワイヤボンディングではなくバンプを介して基板に接続されます。主にモバイルITデバイスのアプリケーションプロセッサ（AP）チップに使用されます。また、金線を使用するWBCSPと比較して、フリップチップを使用するプロセスは、電気信号の経路が短いため高密度半導体に適用でき、より大きな入出力に対応できます。

• 単一ユニットまたはストリップ形態
• ファインピッチ、mSAPプロセス
• 薄型で平坦な基板
• コアレスプロセス

• EEPROM、NANDフラッシュ、電源管理、統合パッシブネットワーク、標準アナログデバイス
• PRAM、LPDDR、ONEDRAM、NANDフラッシュ
• 携帯電話、PDA、ノートパソコン、ディスクドライブ、デジタルカメラ、MP3プレーヤー、GPSナビゲーション機器、ポータブル製品

KKPCBフリップチップCSP（fcCSP）パッケージ – CSPパッケージ形式のフリップチップソリューション。このパッケージ構造は、当社の利用可能なすべてのバンピングオプション（銅ピラー、鉛フリーはんだ、共晶）と組み合わせて、エリアアレイでのフリップチップ相互接続技術を可能にし、標準的なワイヤボンド相互接続を置き換える場合は、ペリフェラルバンプレイアウトを可能にします。フリップチップ相互接続の利点は多岐にわたります。標準的なワイヤボンド技術よりも電気的性能が向上し、配線密度の向上により小型化が可能になり、ワイヤボンドループによるZハイトの影響がなくなります。

fcCSPパッケージは、コアの有無にかかわらず、ラミネートまたはモールドベースの基板上に組み立てられます。このパッケージは、製造効率を高め、コストを最小限に抑えるためにストリップ形式で処理され、ベアダイ、オーバーモールド、および露出ダイ構造を可能にします。高電力デバイスの熱的課題は、統合ヒートスプレッダを適用することで管理できます。アンテナインパッケージ（AiP）は、底面チップアタッチを使用することで実現できます。最後に、銅ピラーバンプダイと組み合わせると、fcCSP技術はファインライン/スペース基板配線とバンプピッチを活用して、電気的性能を向上させながら層数とコストを削減します。

fcCSPパッケージは、性能とフォームファクタの両方が重要なアプリケーションにとって魅力的な選択肢です。例としては、高性能モバイルデバイス（5Gを含む）、自動車用インフォテインメントおよびADAS、人工知能などがあります。さらに、低インダクタンスと配線密度の向上による利点により、高周波信号の電気経路が最適化され、fcCSPはベースバンド、RF、および基板内アンテナアプリケーションに適しています。

FCBGA（フリップチップボールグリッドアレイ）は、高密度マイクロバンプを使用してフリップチッププロセスを介してデジタルチップと基板を接続し、受動デバイスを基板表面のチップの隣に配置して、BGA（ボールグリッドアレイ）またはLGA（ランドグリッドアレイ）パッケージタイプを形成します。KKPCBはSAP（セミアディティブプロセス）技術を使用して、高密度および高層数のFCBGA基板を製造し、ハイエンドフリップチップをサポートし、高効率の電気相互接続と高速伝送を保証します。

FCBGA基板は、ファインデザインルールと高信頼性を備えた半導体パッケージです。KKPCBは、最先端のデザインルールと最先端の処理技術を活用した次世代フリップチップLSIに準拠した、3,000以上のI/Oを備えたICパッケージを提供します。

この製品は、高集積半導体チップをメインボードに接続するために使用される高集積パッケージ基板です。フリップチップバンプで半導体チップとパッケージ基板を接続することにより、電気的および熱的特性を向上させる高集積パッケージ基板です。さらに、CPUボード回路の高集積化には、基板層数の増加と層間の微細なマッチングが必要であり、同時に、セットの薄型化のための薄型基板の製造能力が求められます。

• ライン/スペース：9µm/12µmの回路形成ルールをリード
• レーザービア技術による先進的な小径ビア形成
• 高信頼性の熱硬化性エポキシを使用
• 各種表面処理オプションが利用可能（Ni/Au、SACはんだなど）
• 環境に優しい製品に対応（ハロゲンフリー、鉛フリー）
• 4～16層のスタックアップで、先進的なウェーハプロセスの高密度相互接続要件を実現
• 優れた位置合わせ能力を備えた高精度・高密度のレーザーマイクロビア技術
• ボールグリッドアレイ（BGA）またはランドグリッドアレイ（LGA）がダイへの接続にこの技術を使用
• SAPプロセスを活用して、高精度で高密度のファインラインを実現
• uBall技術は、最大数万個のマイクロSnボールを基板の上面に配置するために使用されます。これらのSnボールは、フリップチップダイ表面のマイクロバンプとの接続に使用されます

KKPCBのフリップチップBGA（FCBGA）パッケージは、最先端の単一ユニットラミネートまたはセラミック基板を中心に組み立てられます。複数の高密度配線層、レーザードリルによるブラインド、ベリード、スタックドビア、および超ファインライン/スペースメタライゼーションを活用することで、FCBGA基板は利用可能な最高の配線密度を実現します。フリップチップ相互接続と超先進基板技術を組み合わせることで、FCBGAパッケージは最大の電気的性能を得るために電気的に調整できます。電気的機能が定義されると、フリップチップによって可能になる設計の柔軟性により、最終パッケージ設計において重要なオプションが可能になります。KKPCBは、幅広い最終アプリケーション要件に適合するさまざまな製品形式でFCBGAパッケージを提供しています。

セミアディティブプロセスとは何ですか？

セミアディティブプロセス（SAP）技術：

電子産業は、コンポーネントに要求されるより高い速度に対応するために、よりファインなピッチへと急速に移行しています。1mmピッチから0.8、0.5、0.4、そして現在では0.25mmピッチへの移行が見られます。同時に、必要なI/O数が増加しています。50µm（0.002インチ）未満のラインとスペースを備えた設計が増え始めています。従来のトレース形成方法では、これらの回路基板を妥当な歩留まりで生産することはできません。

利点：

• 中国の現在の最先端技術と比較してサイズと重量を90%削減
• 層数と積層サイクルを効果的に削減
• 従来のサブトラクティブエッチングプロセスと比較して大幅なRFの利点
• 固定エリア内での電子密度の向上

技術論文：

• 材料の信頼性と性能に関する研究
• スタックマイクロビアの信頼性
• ラップめっき
• マイクロビアのトラブルシューティング

超ファイン配線を実現する導体パターニング技術

SAP（セミアディティブプロセス）に焦点を当て、世界クラスのマイクロパターニングを提供します。また、将来に向けた半導体レベルの導体パターニング技術の開発も推進しています。