| Technische Kapazität für IC-Substrate | ||
|---|---|---|
| Element | Beschreibung | Datenblatt |
| Sheng Yi | Kern/P.P | SI643HU, SI10U, SI09U, SI07U, SI05U |
| Mitsubishi Gas Chemical | Kern/P.P | HL832NXA, HL832NS, HL832NSR(LC) |
| DooSan | Kern/P.P | DS-7409HGB(S), DS-7409HGB(LE), DS-7409HGB(X) |
| Panasonic | Kern/P.P | R1515E/R1515H |
| Andere Materialien | Kern/P.P | E679FGB, E770G(LH), BT-NSF(LCA) |
| Lage | Lage | 1-16 Lagen |
| Min. Musterabmessung | um | 25 |
| Min. Musterabstand | um | 25 |
| Min. Pad | um | 80 |
| Min. BGA-Mittenabstand | um | 250 |
| Min. Dicke 2L | um | 80 |
| Min. Dicke 2L / Kern / PP-Dicke | um | 80/30 |
| Min. Dicke 4L / Kern / PP-Dicke | um | 200/50/20 |
| Min. Dicke 6L / Kern / PP-Dicke | um | 240/50/20 |
| Min. Dicke 8L / Kern / PP-Dicke | um | 330/50/20 |
| Lötstoppmaskenfarbe | Grün, Schwarz | |
| Lötstopplack | EG23A, AUS308, AUS320, AUS410 | |
| Oberflächenbehandlung | Weichvergoldung, Hartvergoldung, ENIG, OSP | |
| Ebenheit | µm | Max. 5 |
| Min. Lochgröße | µm | 100 |
| Min. Laserl ochgröße | µm | 50 |
| Min. Dicken toleranz | µm | 30 |
| Min. PP | µm | 25 |
| Min. Kern | µm | 40 |
| Minimaler Finger-Mittenabstand | µm | 65 |
| Min. Parallelpositioniergenauigkeit | µm | 15 |
| Unterstützungsprozess | Subtraktiver Prozess, mSAP-Prozess | |
| Lötstoppmasken-Toleranz | µm | 5 |